又一次高呼出了不可能三个字,但这一回他脑门上全部都是汗水,身上穿的和服,甚至都在这一瞬间被汗水给浸透了。
50纳米的技术极限,这是全球捆在所有光刻机企业脖子上的绳索,自从10年前到达这个极限之后,无论是尼康还是佳能,几乎每年都要投入1-2亿美元的巨额资金来研发突破这个极限的途径。
为了突破这个极限,全球各个光刻机行业的专家们提出了几种途径,其中包括157nmF2激光,电子束投射,离子投射、EUV和X光,并形成了以下几大阵营:
其中F2激光技术,这是目前在理论和技术上最为成熟的阵营,在浸润式光刻机出现之前,几乎所有的光刻机企业研究的都是这个技术,目前是美国的SVG和日本的尼康,在这两个技术上走的最远,尤其是尼康,他们估计再有个5年左右的时间,就能够拿出最终的产品出来了。
但是这个技术有一个巨大的缺陷,那就是生产成本巨大,改造成本也更加的巨大,而且这个技术的天花板,也就是从50纳米提高到了40纳米左右,提升的幅度只有20%,是典型的投入和产出相差极大的案例。
如果用这种办法制造出来的芯片,最早是现在同等级芯片的价格的三倍以上,如果投放到市场上,他未来所有顶级芯片的旗舰手机的起步价格,就最少要提交2000元人民币左右了。
但这依然是目前最有可能成功的技术。
EUV技术,这是技术前景最为光明的,但也是最困难的技术,因为这个技术要从直接改革光源入手,将目前的光刻机光源改革成为紫光,直接从光源上,把50纳米的极限提升到纳米的极限,提升幅度可谓巨大,绝对是市场前景最为广阔的技术。
这个技术难度极高不说,关键是几乎所有的专利和门槛都掌握在美国人的手里面,分布在英特尔,AMD,摩托罗拉和美国能源部这些单位之中,尼康手里面几乎没有这方面任何的技术专利。
本来作为美国的小老弟,以前的日本或许还有机会加入到这样的专利联盟手中,但是自从花园广场协议一签,所有日本人都知道美国是打定了主意要打压日本的半导体行业,他们是绝不可能允许日本企业进入到EUV技术联盟之中的,否则花园广场协议就白签了。
这里就不得不说一句,其实美国是一家,非常公平和公正的国家,对于能够威胁到自己技术优势的对手,他们会立刻打压。
同样的,如果是自己的狗威胁到了自己的技术优势,那也是一样要打压的。
比如在90年代后期,日本的半导体行业几乎已经要将美国的半导体行业给彻底撕碎了,他们占据了90%以上的市场。
结果花园广场协议一签,
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